小型化光电平衡探测器
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小型化光电平衡探测器
Balanced Photodetector, Free Space, With Amplification
  • 波长范围: 190 - 1700 nm Range
  • 高灵敏度
  • DC-1 MHz or DC-400 MHz Bandwidths
  • 优越的共模抑制
BPD200I-DC
InGaAs 光电探测器
波长范围:800 - 1700 nm
 
 
  • 概述
  • 产品规格
  • 机械安装图
  • 技术说明
  • 订购信息
       平衡光探测模块集成了两个匹配的光电二极管和一个超低噪声的互阻放大器,就可以将其用作平衡接收器,通过消除共模噪声从而可以实现从干扰噪声中得到信号路中的微小变化。这些探测器含有两个平衡光电二极管和一个超低噪声的高速互阻放大器。其中,两个光电二极管相互匹配,可以实现出色的共模抑制比(CMRR),从而得到较好降低噪声。小尺寸简化版型号 BPD200 模块,专供为用户系统集成设计使用,省去光电监测接口,通过优化设计,体积仅为 48*48*15.5mm 和重量小于 100 克。
 

产品特点:

 

典型应用:

•  波长范围可供选择800 - 1700 nm
•  共模抑制比大于20分贝
•  Si或InGaAs探测器
•  版本都可以采用光纤输入或空间输入
•  可提供宽温度工作范围(-40~80度)
•  可以根据用户工作带宽提供最优化设计
•  可以提供和光纤干涉仪集成服务
 
•  激光测风雷达
•  外差探测
•  光学相干层析(OCT)
•  光学延迟测量
•  太赫兹探测
•  光谱学

 
型号 BPD50I-DC BPD100I-DC BPD200I-DC
探测器类型 InGaAs/PIN InGaAs/PIN InGaAs/PIN
波长工作范围 800 - 1700 nm 800 - 1700 nm 800 - 1700 nm
典型最大响应度@1550nm 1.0 A/W 1.0 A/W 1.0 A/W
光敏面 75um 75um 75um
带宽 (3 dB) DC - 50MHz DC - 100MHz DC - 200 MHz
共模抑制比 >25 dB
最小等效噪声功率(NEP) 7.15pW/Hz1/2(DC - 50MHz) 7.56pW/Hz1/2(DC - 100MHz) 8.52pW/Hz1/2(DC - 200MHz)
夸阻增益 120 x 103 V/W 110 x 103 V/W 25 x 103 V/W
饱和光功率RF Output 120 µW @ 1550 nm
输出阻抗 50Ω
最大输出电压幅度 ±1.8 for 50 Ω 负载      ±3.6 V 高阻负载
DC Offset < ±3 mV
射频输出耦合 DC or AC
监测口夸阻增益      
光输入接口 FC/PC或 FC/APC
光电探测器损坏阈值 20mw
输出接头 SMA
尺寸 48*48*15.5 mm 48*48*15.5 mm 48*48*15.5 mm
重量 100g 100g 100g
工作温度 -40 to 70 °C(宽温度范围可选)
存储温度 -40 to 70 °C
供电 ±12 VDC @ 200 mA
        

光电探测器性能参数

一、灵敏度

1. 积分灵敏度R(响应度)

       灵敏度也常称作响应度,是光电探测器光电转换特性,光电转换的光谱特性以及频率特性的量度。光电流i (或光电压u )和入射光功率P 之间的关系=i=f(P) ,称为探测器的光电特性。积分电流灵敏度Ri 和积分电压灵敏度Ru 如式(1)所示,式中光功率P 指分布在某一光谱范围内的总功率。

线性区域Ri=didP=iP(线性区域)(A/W)

线性区域Ru=dudP=uP(线性区域)(A/W)

2. 光谱灵敏度Rλ

    光功率谱密度 Pλ  由于光电探测器的光谱选择性,在其它条件下不变的情况下,光电流将是光波长的函数,记为iλ  ,于是光谱灵敏度Rλ 定义为

Rλ=diλdPλ

Rλ 是常数时,相应探测器称为无选择性探测器(如光热探测器),光子探测器则是选择性探测器。式(2)的定义很难测量,通常给出的是相对光谱灵敏度Sλ 定义为

Sλ=RλRλm

式(2)中,Rλm 是指Rλ 的最大值,Sλ 为无量纲百分数,Sλ 随λ变化的曲线称为光谱灵敏度曲线。

3. 频率灵敏度Rf

       如果入射光是调制的,其他条件不变的情况下,光电流if 随调制频率f 的升高而下降,这时的灵敏度称为频率灵敏度Sf ,表示为

Rf=ifP

if=i(f=0)1+(2πfτ)2

式(5)中,τ 为探测器的响应时间或时间常数,由材料、结构和外电路决定,将式(5)带入式(4)得:

Rf=R01+(2πfτ)2

式(6)体现了光电探测器的频率特性,Rf 随f 的升高而下降的速度与τ 的大小有关。一般情况下Rf 下降到R0/2 时的频率fc 称为探测器的截止响应频率或响应频率,当f

fc=12πτ

二、量子效率η

       量子效率是指每个入射光子释放的平均电子数,它与入射光子能量有关。对于内光电效应,量子效率还与材料内电子的扩散长度有关。对于外光电效应与材料表面逸出功有关,其表达式为

η=Ic/eP/hν

式(8)中,P 是入射到探测器上的光功率,Ic 是入射光产生的平均光电流大小,P/hv 是单位时间内入射的光子平均数,Ic/e 是单位时间产生的光电子平均数,e 是电子电荷。

将量子效率和灵敏度联系起来,可得:

η=hνeRi

ηλ=hceλRiλ

三、通量阈(Pth)和噪声等效功率(NEP)

       从灵敏度R的定义式(1)可见,如果P=0 应有i=0 。实际情况是,当P=0 时,光电探测器的输出电流并不为0。这个电流称为暗电流或噪声电流,记为in=(in2¯)1/2 ,它是瞬时噪声电流的有效值。显然,这时灵敏度R 已失去意义,我们必须定义一个新参量来描述光电探测器的这种特性。

       通常光功率Ps 和Pb 分别为信号和背景光功率,即使Ps 和Pb 都为0,也会有噪声输出,噪声的存在限制了探测微弱信号的能力。通常认为,如果信号光功率产生的信号光电流is 等于噪声电流in ,那么认为刚刚能探测到光信号存在。依照这一判据,定义探测器的通量阈Pth 为

Pth=inRi (W)

       同一个问题,还有另一种更通用的表述方法,这就是噪声等效功率NEP。它定义为单位信噪比时的信号光功率。信噪比SNR定义为

电流信噪比SNR=isin (电流信噪比)

电压信噪比SNR=usun (电压信噪比)

由式(11)和式(12)可得,

NEP=Pth=Ps∣SNRi=1=Ps∣SNRu=1(W)

所以,通量阈或者噪声等效功率越小表面探测器探测微弱信号的能力越强。

四、归一化探测度(D*)

       NEP越小,探测器探测能力越高,这不符合人们“越大越好”的习惯,于是取NEP的倒数并定义为探测度D ,即

D=1NEP (W−1)

       实际使用中,经常需要在同类型的不同探测器之间进行比较,发现“D 值大的探测器其探测力一定好”的结论并不充分。究其原因,主要是因为探测器光敏面积A 和测量带宽Δf 对D 值有很大影响。一方面,探测器的噪声功率N∝Δf ,所以in∝Δf1/2 ,于是由D 的定义知D∝Δf−1/2 ;另一方面,探测器的噪声功率N∝A ,所以in∝A1/2 ,于是D∝A−1/2 。为了消除这一影响,提出了归一化探测度D∗ 。

D∗=DA∙Δf(cm∙Hz12/W)

这时就可以说,D∗ 大的探测器其探测能力一定好。考虑到光谱的响应特性,一般给出D∗ 值时注明响应波长λ 、光辐射调制频率f 、及测量带宽Δf ,即D∗(λ,f,Δf) 。

五、共模抑制比(CMRR)

       共模抑制比CMRR是平衡光电探测器的一个重要参数,其定义为放大器对差模信号的电压放大倍数Aud 与对共模信号的电压放大倍数Auc 之比,可以表征探测器放大差模信号且抑制共模信号的能力。

CMRR=20lg⁡|AudAuc|(dB)

六、其他参数

       光电探测器还有其他一些特性参数,在使用时必须注意,例如光敏面积,探测器电阻,电容等。特别是极限工作条件通常规定了工作电压、电流、温度以及光照功率允许范围,正常使用时都不允许超过这些指标,否则会影响探测器的正常工作,甚至使探测器损坏。

 

BPD 带宽 工作波长 输出类型 输入类型

平衡探测器模块

-3dB 带宽:1-200MHz
I:900 ~1650nm
S:
320 ~1000nm
DC:直流
AC:交流
FP:FC/PC
FA:FC/APC
FS:空间耦合
 
型号 描述
BPD50I-DC 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合
BPD50I-AC 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合
BPD100I-DC 100MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合
BPD100I-AC 100MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合
BPD200I-DC 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合
BPD200I-AC 200MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合
15MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD15S-DC (-AC) BPD15I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度(Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 15MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 10Hz - 15MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD15I-DC 15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥8000.00 1天
15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD15I-AC 15MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥8000.00 1周
15MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 15MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD15S-DC 15MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥8000.00 1周
15MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 15MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD15S-AC 15MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥8000.00 1周
50MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD50S-DC (-AC) BPD50I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度(Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 50MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 10Hz - 50MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD50I-DC 50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥8000.00 4天
50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD50I-AC 50MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥8000.00 1周
50MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 50MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD50S-DC 50MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥10000.00 1周
50MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 50MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD50S-AC 50MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥10000.00 1周
75MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD75S-DC (-AC) BPD75I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度(Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 75MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 50Hz - 75MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD75I-DC 75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥8000.00 1天
75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD75I-AC 75MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥9000.00 1天
75MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 75MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD75S-DC 75MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥10000.00 1天
75MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 75MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD75S-AC 75MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥10000.00 1天
100MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD100S-DC (-AC) BPD100I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度 (Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 100MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 50Hz - 100MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD100I-DC 100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥8000.00 当日
100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD100I-AC 100MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥8000.00 1天
100MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 100MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD100S-DC 100MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥10000.00 1周
100MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 100MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD100S-AC 100MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥10000.00 1周
200MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD200S-DC (-AC) BPD200I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度(Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 200MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 100Hz - 200MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD200I-DC 200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥8000.00 1周
200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD200I-AC 200MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥8000.00 4天
200MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 200MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD200S-DC 200MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥8000.00 1周
200MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 200MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD200S-AC 200MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥8000.00 1周
350MHz小型平衡探测器
参数指标:
Item # BPD350S-DC (-AC) BPD350I-DC (-AC)
探测器类型 Si/PIN InGaAs/PIN
波长范围 320 - 1000 nm 800 - 1700 nm
最大响应度(Typ.) 0.50 A/W 1.0 A/W
Active Detector Diameter 0.8 mm 0.15 mm
带宽(3dB) DC - 350MHz
AC Coupled (-AC Suffix): 100Hz - 350MHz
共模抑制比 >25 dB
跨阻增益 30 x 103 V/A
光学输入口 FC/PC or FC/APC Compatible
(Removable Adapter)
FC/PC or FC/APC Compatible
(Adapter is not Removable)
 
+1 数量 文件 单价 有货/交货日期
350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 BPD350I-DC 350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,直流耦合 ¥12000.00 1周
350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 BPD350I-AC 350MHz,铟镓砷,800 - 1700 nm,交流耦合 ¥12000.00 1周
350MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 350MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 BPD350S-DC 350MHz,硅,320 - 1000 nm,直流耦合 ¥12000.00 1周
350MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 350MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 BPD350S-AC 350MHz,硅,320 - 1000 nm,交流耦合 ¥12000.00 1周