

产品特点: |
典型应用: |
|
|
• 波长范围可供选择800 - 1700 nm
• 共模抑制比大于20分贝
• Si或InGaAs探测器
• 版本都可以采用光纤输入或空间输入
• 可提供宽温度工作范围(-40~80度)
• 可以根据用户工作带宽提供最优化设计
• 可以提供和光纤干涉仪集成服务
|
• 激光测风雷达
• 外差探测
• 光学相干层析(OCT)
• 光学延迟测量
• 太赫兹探测
• 光谱学
|
| 型号 | BPD50I-DC | BPD100I-DC | BPD200I-DC |
|---|---|---|---|
| 探测器类型 | InGaAs/PIN | InGaAs/PIN | InGaAs/PIN |
| 波长工作范围 | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm |
| 典型最大响应度@1550nm | 1.0 A/W | 1.0 A/W | 1.0 A/W |
| 光敏面 | 75um | 75um | 75um |
| 带宽 (3 dB) | DC - 50MHz | DC - 100MHz | DC - 200 MHz |
| 共模抑制比 | >25 dB | ||
| 最小等效噪声功率(NEP) | 7.15pW/Hz1/2(DC - 50MHz) | 7.56pW/Hz1/2(DC - 100MHz) | 8.52pW/Hz1/2(DC - 200MHz) |
| 夸阻增益 | 120 x 103 V/W | 110 x 103 V/W | 25 x 103 V/W |
| 饱和光功率RF Output | 120 µW @ 1550 nm | ||
| 输出阻抗 | 50Ω | ||
| 最大输出电压幅度 | ±1.8 for 50 Ω 负载 ±3.6 V 高阻负载 | ||
| DC Offset | < ±3 mV | ||
| 射频输出耦合 | DC or AC | ||
| 监测口夸阻增益 | |||
| 光输入接口 | FC/PC或 FC/APC | ||
| 光电探测器损坏阈值 | 20mw | ||
| 输出接头 | SMA | ||
| 尺寸 | 48*48*15.5 mm | 48*48*15.5 mm | 48*48*15.5 mm |
| 重量 | 100g | 100g | 100g |
| 工作温度 | -40 to 70 °C(宽温度范围可选) | ||
| 存储温度 | -40 to 70 °C | ||
| 供电 | ±12 VDC @ 200 mA | ||

1. 积分灵敏度R(响应度)
灵敏度也常称作响应度,是光电探测器光电转换特性,光电转换的光谱特性以及频率特性的量度。光电流i (或光电压u )和入射光功率P 之间的关系=i=f(P) ,称为探测器的光电特性。积分电流灵敏度Ri 和积分电压灵敏度Ru 如式(1)所示,式中光功率P 指分布在某一光谱范围内的总功率。
线性区域Ri=didP=iP(线性区域)(A/W)
线性区域Ru=dudP=uP(线性区域)(A/W)
2. 光谱灵敏度Rλ
光功率谱密度 Pλ 由于光电探测器的光谱选择性,在其它条件下不变的情况下,光电流将是光波长的函数,记为iλ ,于是光谱灵敏度Rλ 定义为
Rλ=diλdPλ
Rλ 是常数时,相应探测器称为无选择性探测器(如光热探测器),光子探测器则是选择性探测器。式(2)的定义很难测量,通常给出的是相对光谱灵敏度Sλ 定义为
Sλ=RλRλm
式(2)中,Rλm 是指Rλ 的最大值,Sλ 为无量纲百分数,Sλ 随λ变化的曲线称为光谱灵敏度曲线。
3. 频率灵敏度Rf
如果入射光是调制的,其他条件不变的情况下,光电流if 随调制频率f 的升高而下降,这时的灵敏度称为频率灵敏度Sf ,表示为
Rf=ifP
if=i(f=0)1+(2πfτ)2
式(5)中,τ 为探测器的响应时间或时间常数,由材料、结构和外电路决定,将式(5)带入式(4)得:
Rf=R01+(2πfτ)2
式(6)体现了光电探测器的频率特性,Rf 随f 的升高而下降的速度与τ 的大小有关。一般情况下Rf 下降到R0/2 时的频率fc 称为探测器的截止响应频率或响应频率,当f fc=12πτ 量子效率是指每个入射光子释放的平均电子数,它与入射光子能量有关。对于内光电效应,量子效率还与材料内电子的扩散长度有关。对于外光电效应与材料表面逸出功有关,其表达式为 η=Ic/eP/hν 式(8)中,P 是入射到探测器上的光功率,Ic 是入射光产生的平均光电流大小,P/hv 是单位时间内入射的光子平均数,Ic/e 是单位时间产生的光电子平均数,e 是电子电荷。 将量子效率和灵敏度联系起来,可得: η=hνeRi ηλ=hceλRiλ 从灵敏度R的定义式(1)可见,如果P=0 应有i=0 。实际情况是,当P=0 时,光电探测器的输出电流并不为0。这个电流称为暗电流或噪声电流,记为in=(in2¯)1/2 ,它是瞬时噪声电流的有效值。显然,这时灵敏度R 已失去意义,我们必须定义一个新参量来描述光电探测器的这种特性。 通常光功率Ps 和Pb 分别为信号和背景光功率,即使Ps 和Pb 都为0,也会有噪声输出,噪声的存在限制了探测微弱信号的能力。通常认为,如果信号光功率产生的信号光电流is 等于噪声电流in ,那么认为刚刚能探测到光信号存在。依照这一判据,定义探测器的通量阈Pth 为 Pth=inRi (W) 同一个问题,还有另一种更通用的表述方法,这就是噪声等效功率NEP。它定义为单位信噪比时的信号光功率。信噪比SNR定义为 电流信噪比SNR=isin (电流信噪比) 电压信噪比SNR=usun (电压信噪比) 由式(11)和式(12)可得, NEP=Pth=Ps∣SNRi=1=Ps∣SNRu=1(W) 所以,通量阈或者噪声等效功率越小表面探测器探测微弱信号的能力越强。 四、归一化探测度(D*) NEP越小,探测器探测能力越高,这不符合人们“越大越好”的习惯,于是取NEP的倒数并定义为探测度D ,即 D=1NEP (W−1) 实际使用中,经常需要在同类型的不同探测器之间进行比较,发现“D 值大的探测器其探测力一定好”的结论并不充分。究其原因,主要是因为探测器光敏面积A 和测量带宽Δf 对D 值有很大影响。一方面,探测器的噪声功率N∝Δf ,所以in∝Δf1/2 ,于是由D 的定义知D∝Δf−1/2 ;另一方面,探测器的噪声功率N∝A ,所以in∝A1/2 ,于是D∝A−1/2 。为了消除这一影响,提出了归一化探测度D∗ 。 D∗=DA∙Δf(cm∙Hz12/W) 这时就可以说,D∗ 大的探测器其探测能力一定好。考虑到光谱的响应特性,一般给出D∗ 值时注明响应波长λ 、光辐射调制频率f 、及测量带宽Δf ,即D∗(λ,f,Δf) 。 五、共模抑制比(CMRR) 共模抑制比CMRR是平衡光电探测器的一个重要参数,其定义为放大器对差模信号的电压放大倍数Aud 与对共模信号的电压放大倍数Auc 之比,可以表征探测器放大差模信号且抑制共模信号的能力。 CMRR=20lg|AudAuc|(dB) 六、其他参数 光电探测器还有其他一些特性参数,在使用时必须注意,例如光敏面积,探测器电阻,电容等。特别是极限工作条件通常规定了工作电压、电流、温度以及光照功率允许范围,正常使用时都不允许超过这些指标,否则会影响探测器的正常工作,甚至使探测器损坏。 二、量子效率η
三、通量阈(Pth)和噪声等效功率(NEP)
| BPD | 带宽 | 工作波长 | 输出类型 | 输入类型 |
平衡探测器模块 |
-3dB 带宽:1-200MHz |
I:900 ~1650nm S:320 ~1000nm |
DC:直流 AC:交流 |
FP:FC/PC FA:FC/APC FS:空间耦合 |
| 型号 | 描述 |
| BPD50I-DC | 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合 |
| BPD50I-AC | 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合 |
| BPD100I-DC | 100MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合 |
| BPD100I-AC | 100MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合 |
| BPD200I-DC | 50MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,直流耦合 |
| BPD200I-AC | 200MHz,铟镓砷,800 -1700 nm,交流耦合 |
